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电子元器件详细资料 » IC[25703] » NJVMJD112T4G
型号:NJVMJD112T4G类别:晶体管(BJT) - 单路制造商:ON Semiconductor
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:TRANS NPN BIPO 2A 100V DPAK

详细参数

类别晶体管(BJT) - 单路
描述TRANS NPN BIPO 2A 100V DPAK
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型NPN - 达林顿
电流_集电极(Ic)111最大2222A
电压_集电极发射极击穿111最大222100V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大2223V @ 40mA,4A
电流_集电极截止111最大222-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)1000 @ 2A,3V
功率_最大1.75W
频率_转换25MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装DPAK-3
包装带卷 (TR)

NJVMJD112T4G相关型号

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